1. 中頻感應(yīng)加熱設(shè)備

      產(chǎn)品詳情

        產(chǎn)品特點(diǎn)

        采用IGBT模塊做逆變單元,IGBT相對于可控硅來講,開關(guān)速度快,損耗低;

        主回路采用串聯(lián)諧振。為電壓諧振,回路中電壓高,電流小,銅損少;

        電源輸入端采用全橋不控整流,高次諧波小,對電網(wǎng)產(chǎn)生的污染和干擾少。

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        因此IGBT中頻電源相對可控硅電源具有電源轉(zhuǎn)換效率高,感應(yīng)器發(fā)熱量小,不污染電網(wǎng),綜合節(jié)電可達(dá)到10%-30%。

        主要參數(shù)

      淄博市臨淄銀河高技術(shù)開發(fā)有限公司

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